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采用分子团簇镶嵌模型解释了钛酸钡纳米晶立方相中的激子自陷机制。

我们发现随着限制强度的增加，双激子量子点的基态和低激发态的关联能变化是不同的；

利用反射及光激萤光量测能隙边缘的激子跃迁。

他们发现激子的构成改变了材料的吸波性能这一事实。

随着隔离层厚度的增加，激子转移过程的机理发生变化。

有机电致发光包括载流子的注入、载流子的迁移、激子的产生、光子的发射等过程。

其次，还研究了磁场下量子环中激子的束缚能和PL谱。

在SSH哈密顿基础上引进电子关联，对反式聚乙炔链中光致激子的产生和演化过程实施分子动力学模拟。

所以，双极化子和三重态激子的碰撞将有助于提高聚合物的发光效率。

这样，当有光照射到材料上并激发激子后，所有激子将流向在纤维管的中心并在此集中。

此外，也研究了单模腔场内平均光子数与激子准最大相干纠缠态的关联。

量子点中激子的基态能量随量子点半径的增大而单调减小，这是量子尺寸效应的反映；

第三章推导了一些中介激子理论的公式以及实际的计算结果。

激子结合能随势垒层厚度LAlGaN的变化。

继续增加电场，极化子和激子相遇后彼此穿过对方。

这种设计是很重要的，因为，激子总是喜欢从高能量流向低能量的。

近年来，磁通量在激子活化能上的效应引起很大的注意。

从磁场下的能量移动，两种形式的激子都被观察到。

在统一的豪泽-费许巴赫理论和激子模型的基础上，利用光学模型来处理中子诱发轻核核反应的一种新理论已经产生。

另外，利用三重态激子发射可以提高EL器件效率，理论上可达100%；

双量子点分子中激子的动态局域化行为

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在强交变电场驱动下双量子点分子中激子的动态行为

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加入激子阻挡层增强白色有机发光器件效率

低维聚合物纳米线中的激子限域和能量传递效应研究

GaN基量子阱激子结合能和激子光跃迁强度

与腔场耦合的两个量子点中激子的纠缠动力学

静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究

耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计性质

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变分方法研究ZnO量子点中激子的基态特性

半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合

三元混晶中激子的结合能

双激子和浸润层泄漏以及俄歇俘获对量子点Rabi振荡衰减的影响

多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性

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耦合量子阱中激子凝聚研究新进展

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双层量子点中的带负电荷激子

抛物阱中极化子效应对激子的影响

介观系统具有椭圆轨迹激子的能级宽度

缀饰激子在半导体微腔中的辐射

耦合量子阱中激子凝聚的研究进展

电场对量子阱中激子能级宽度的影响

微波谐振腔Q值对磁激子振幅不稳定态阈值的影响

图2（a）激子结合能Eb随量子点高度LGaN的变化；

GaN基量子阱的激子跃迁和光学性质

3束缚激子与声子的耦合

聚合物中产生双激子的新通道